История:
P1800ECMCLAP
CS92M TIN/LEAD
IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DU120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 500 nA | 280 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DU60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 290 A | 625 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Full Bridge | 500 nA | 280 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 400 nA | 290 A | 625 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200SK120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 500 nA | 280 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200SK60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 290 A | 750 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 800 nA | 300 A | 652 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT20H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | Dual | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT20TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 300 nA | 32 A | 62 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225A170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 600 nA | 340 A | 1.25 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225DA170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 600 nA | 340 A | 1.25 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225DU170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 600 nA | 340 A | 1.25 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225SK170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 600 nA | 340 A | 1.25 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT25X120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | 3-Phase | 400 nA | 40 A | 156 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 440 A | 1.45 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 600 nA | 420 A | 1.38 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 400 nA | 400 A | 1.47 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 600 nA | 400 A | 1.66 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 400 A | 940 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Dual | 500 nA | 430 A | 1.15 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 500 nA | 430 A | 935 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 600 nA | 420 A | 1.38 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 400 nA | 400 A | 1.47 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 600 nA | 400 A | 1.66 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 400 A | 940 W |
