Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DU120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 500 nA 280 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DU60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 290 A 625 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Full Bridge 500 nA 280 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 400 nA 290 A 625 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200SK120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 500 nA 280 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200SK60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 400 nA 290 A 750 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 800 nA 300 A 652 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT20H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules Dual
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT20TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 300 nA 32 A 62 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225A170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 600 nA 340 A 1.25 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225DA170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 600 nA 340 A 1.25 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225DU170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 600 nA 340 A 1.25 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225SK170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 600 nA 340 A 1.25 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT25X120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V 3-Phase 400 nA 40 A 156 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 440 A 1.45 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 600 nA 420 A 1.38 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 400 A 1.47 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 600 nA 400 A 1.66 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 400 A 940 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Dual 500 nA 430 A 1.15 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 500 nA 430 A 935 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 600 nA 420 A 1.38 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 400 nA 400 A 1.47 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 600 nA 400 A 1.66 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 400 nA 400 A 940 W
...89101112...