Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 140 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100A170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 150 A 560 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100A60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100BB60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DA120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 140 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DA60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DH120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 140 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DH60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DU120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 140 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DU170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 150 A 560 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DU60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Full Bridge 400 nA 140 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Full Bridge 500 nA 150 A 560 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Quad 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100SK170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 400 nA 150 A 560 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100TA120TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V 3-Phase 400 nA 140 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100TDU60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Triple Dual Common Source 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100TL170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V 500 nA 150 A 560 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100TL60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 400 nA 150 A 340 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A120T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 220 A 833 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 225 A 600 W
...678910...