Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DA60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DU120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DU120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Full Bridge 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150H170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Full Bridge 600 nA 250 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150H60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150SK120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 220 A 690 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150SK170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 600 nA 250 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150SK60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TA60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 3-Phase 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TDU60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Triple Dual Common Source 400 nA 225 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 400 nA 200 A 480 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 300 A 1.05 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 500 nA 280 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 310 A 1.25 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A602G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 290 A 625 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 290 A 750 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DA120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 300 A 1.05 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DA120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 500 nA 280 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DA60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 400 nA 290 A 750 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DH120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 500 nA 280 A 890 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DH60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 400 nA 290 A 625 W
...7891011...