История:
P1800ECMCLAP
CS92M TIN/LEAD
IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DA60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 225 A | 480 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 220 A | 690 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 225 A | 480 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DU120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 220 A | 690 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DU120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 220 A | 690 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Full Bridge | 400 nA | 220 A | 690 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150H170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Full Bridge | 600 nA | 250 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150H60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 400 nA | 225 A | 480 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150SK120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 220 A | 690 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150SK170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 600 nA | 250 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150SK60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 225 A | 480 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TA60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 3-Phase | 400 nA | 225 A | 480 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TDU60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Triple Dual Common Source | 400 nA | 225 A | 480 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 400 nA | 200 A | 480 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 300 A | 1.05 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 500 nA | 280 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 400 nA | 310 A | 1.25 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A602G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 290 A | 625 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 290 A | 750 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DA120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 300 A | 1.05 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DA120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 500 nA | 280 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DA60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 290 A | 750 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DH120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 500 nA | 280 A | 890 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200DH60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 290 A | 625 W |
