История:
ESF-PS150A35B-B
ESF-PS200A50B
IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL325A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Dual | 400 nA | 420 A | 1.5 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL40H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Full Bridge | 400 nA | 65 A | 220 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL40X120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | 3-Phase | 400 nA | 65 A | 220 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Dual | 400 nA | 610 A | 2.08 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475DA120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 400 nA | 610 A | 2.08 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475SK120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 400 nA | 610 A | 2.08 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 610 A | 2.082 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475U120DAG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 610 A | 2.307 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL60DDA120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Dual | 400 nA | 80 A | 280 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL60H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Full Bridge | 400 nA | 80 A | 280 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL60TL120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | 400 nA | 80 A | 280 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL700DA120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 800 nA | 840 A | 3 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL700SK120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 800 nA | 840 A | 3 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL700U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Single | 910 A | 3 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Dual | 600 nA | 110 A | 385 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90DA120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Single | 600 nA | 110 A | 385 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90DDA120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Dual | 600 nA | 110 A | 385 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90DSK120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Dual | 600 nA | 110 A | 385 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Full Bridge | 600 nA | 110 A | 385 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100A120T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | Dual | 150 nA | 185 A | 650 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | Dual | 150 nA | 170 A | 520 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100A65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.85 V | Dual | 150 nA | 135 A | 350 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100DA120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | Single | 150 nA | 170 A | 520 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.85 V | Quad | 150 nA | 135 A | 350 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ150A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | Dual | 240 nA | 250 A | 750 W |
