Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GA60JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2 V 100 nA 112 A 356 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Carbide Modules 1200 V 2.5 V Single 100 nA 149 A 625 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2 V Single 100 nA 93 A 378 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRD: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2 V Single 100 nA 93 A 378 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2 V Single 100 nA 105 A 379 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT65GP60JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2.2 V Single 100 nA 130 A 431 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GP120J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 3.3 V 100 nA 128 A 543 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GP120JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 3.3 V 100 nA 128 A 543 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GT120JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 500 nA 100 A 416 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 500 nA 100 A 416 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60B2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2.2 V Single 100 nA 100 A 1.041 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2.2 V Single 100 nA 151 A 462 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 2.2 V Single 100 nA 151 A 462 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 3.5 V Single 250 nA 170 A 962 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 3.5 V Single 250 nA 118 A 595 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 3.5 V Single 250 nA 118 A 595 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 3.5 V Single 250 nA 170 A 962 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTCV40H60CT1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTCV50H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGFQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 2.1 V Quad 150 nA 40 A 227 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL120TA120TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.8 V 3-Phase 600 nA 140 A 517 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL120TDU120TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.8 V Triple Dual Common Source 600 nA 140 A 517 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL180A1202G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.8 V Dual 200 nA 220 A 750 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL180A120T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.8 V Dual 200 nA 230 A 940 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL240TL120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.8 V 305 A 1 kW
...34567...