IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GA60JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | 100 nA | 112 A | 356 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Carbide Modules | 1200 V | 2.5 V | Single | 100 nA | 149 A | 625 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Single | 100 nA | 93 A | 378 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRD: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Single | 100 nA | 93 A | 378 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Single | 100 nA | 105 A | 379 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT65GP60JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.2 V | Single | 100 nA | 130 A | 431 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GP120J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.3 V | 100 nA | 128 A | 543 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GP120JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.3 V | 100 nA | 128 A | 543 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GT120JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 500 nA | 100 A | 416 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 500 nA | 100 A | 416 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60B2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.2 V | Single | 100 nA | 100 A | 1.041 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.2 V | Single | 100 nA | 151 A | 462 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.2 V | Single | 100 nA | 151 A | 462 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.5 V | Single | 250 nA | 170 A | 962 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.5 V | Single | 250 nA | 118 A | 595 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.5 V | Single | 250 nA | 118 A | 595 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.5 V | Single | 250 nA | 170 A | 962 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTCV40H60CT1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 600 nA | 80 A | 176 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTCV50H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 600 nA | 80 A | 176 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGFQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Quad | 150 nA | 40 A | 227 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL120TA120TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | 3-Phase | 600 nA | 140 A | 517 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL120TDU120TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Triple Dual Common Source | 600 nA | 140 A | 517 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL180A1202G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Dual | 200 nA | 220 A | 750 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL180A120T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | Dual | 200 nA | 230 A | 940 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL240TL120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.8 V | 305 A | 1 kW |
