Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
A1C15S12M3-F A1C15S12M3-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1C15S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	Converter Inverter Brake	500 nA	15 A	142.8 W
A1P25S12M3 A1P25S12M3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P25S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	25 A	197 W
A1P25S12M3-F A1P25S12M3-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P25S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	25 A	197 W
A1P35S12M3 A1P35S12M3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P35S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	35 A	250 W
A1P35S12M3-F A1P35S12M3-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P35S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	35 A	250 W
A1P50S65M2 A1P50S65M2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P50S65M2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	650 V	2.3 V	6-Pack	500 nA	50 A	208 W
A1P50S65M2-F A1P50S65M2-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P50S65M2-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	650 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	50 A	208 W
A2C25S12M3 A2C25S12M3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C25S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	Converter Inverter Brake	500 nA	25 A	197 W
A2C25S12M3-F A2C25S12M3-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C25S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	Converter Inverter Brake	500 nA	25 A	197 W
A2C35S12M3 A2C35S12M3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C35S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	Converter Inverter Brake	500 nA	35 A	250 W
A2C35S12M3-F A2C35S12M3-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C35S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	Converter Inverter Brake	500 nA	35 A	250 W
A2C50S65M2 A2C50S65M2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C50S65M2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	650 V	2.3 V	CIB	500 nA	100 A	208 W
A2C50S65M2-F A2C50S65M2-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C50S65M2-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	650 V	1.95 V	CIB	500 nA	50 A	208 W
A2P75S12M3 A2P75S12M3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2P75S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	75 A	454.5 W
A2P75S12M3-F A2P75S12M3-F	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2P75S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.95 V	6-Pack	500 nA	75 A	454.5 W
APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GLQ65JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.85 V	Single	150 nA	165 A	430 W
APT100GLQ65JU3 APT100GLQ65JU3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GLQ65JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.85 V	Single	150 nA	165 A	430 W
APT100GN120J APT100GN120J	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GN120J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	600 nA	153 A	446 W
APT100GN120JDQ4 APT100GN120JDQ4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GN120JDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	1.7 V	Single	600 nA	153 A	446 W
APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JRDQ4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT120JRDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	3.2 V	Single	600 nA	123 A	570 W
APT100GT120JU2 APT100GT120JU2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT120JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	400 nA	140 A	480 W
APT100GT120JU3 APT100GT120JU3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	1.7 V	Single	400 nA	140 A	480 W
APT100GT60JR APT100GT60JR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT60JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	600 V	2.1 V	Single	300 nA	148 A	500 W
APT100GT60JRDQ4 APT100GT60JRDQ4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT60JRDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	600 V	2.1 V	Single	300 nA	148 A	500 W
APT150GN120J APT150GN120J	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN120J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	600 nA	215 A	625 W