Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
APT150GN120JDQ4 APT150GN120JDQ4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN120JDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	600 nA	215 A	625 W
APT150GN60B2G APT150GN60B2G	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN60B2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	600 V	1.45 V	Single	600 nA	220 A	536 W
APT150GN60J APT150GN60J	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	600 nA	220 A	536 W
APT150GN60JDQ4 APT150GN60JDQ4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN60JDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	600 nA	220 A	536 W
APT150GN60LDQ4G APT150GN60LDQ4G	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN60LDQ4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	600 V	1.45 V	Single	600 nA	220 A	536 W
APT150GT120JR APT150GT120JR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GT120JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	900 nA	170 A	830 W
APT200GN60J APT200GN60J	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GN60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	600 nA	283 A	682 W
APT200GN60JDQ4 APT200GN60JDQ4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GN60JDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	600 nA	283 A	682 W
APT200GT60JR APT200GT60JR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GT60JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	600 V	2 V	Single	300 nA	195 A	500 W
APT30GP60JDQ1 APT30GP60JDQ1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT30GP60JDQ1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Single	100 nA	67 A	245 W
APT35GT120JU2 APT35GT120JU2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT35GT120JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Single	500 nA	55 A	260 W
APT35GT120JU3 APT35GT120JU3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT35GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Single	500 nA	55 A	260 W
APT40GL120JU2 APT40GL120JU2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT40GL120JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Single	400 nA	65 A	220 W
APT40GL120JU3 APT40GL120JU3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT40GL120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Single	400 nA	65 A	220 W
APT40GP90JDQ2 APT40GP90JDQ2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT40GP90JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	900 V	3.2 V	Single	100 nA	64 A	284 W
APT46GA90JD40 APT46GA90JD40	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT46GA90JD40: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	900 V	2.5 V	100 nA	87 A	284 W
APT50GF120B2RG APT50GF120B2RG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GF120B2RG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	2.5 V	Single	100 nA	135 A	781 W
APT50GF120JRDQ3 APT50GF120JRDQ3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	100 nA	120 A	521 W
APT50GF120LRG APT50GF120LRG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GF120LRG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	2.5 V	Single	100 nA	135 A	781 W
APT50GLQ65JU2 APT50GLQ65JU2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GLQ65JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.85 V	Single	150 nA	80 A	220 W
APT50GP60JDQ2 APT50GP60JDQ2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GP60JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Single	100 nA	100 A	329 W
APT50GR120B2 APT50GR120B2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GR120B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.5 V	Single	250 nA	117 A	694 W
APT50GR120L APT50GR120L	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GR120L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.5 V	Single	250 nA	117 A	694 W
APT50GT120JU2 APT50GT120JU2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GT120JU2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	1200 V	1.7 V	Single	500 nA	75 A	347 W
APT50GT120JU3 APT50GT120JU3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Single	500 nA	75 A	347 W