IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05405900: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05406000: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05406100: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05406800: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05406900: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05407000: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05407400: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05407500: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05407600: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05407900: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05410100: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 05410200: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Littelfuse | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS16017P43W40382: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS16017P43W40383: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS20017E43W37032: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS20017E43W38170: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS24017E33W32859NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 2.4 V | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS24017E33W32860NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 2.4 V | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS30017E43W34404NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS30017E43W38169: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6PS03012E33G34160: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6PS04512E43G37986: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6PS04512E43W39693: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6PS18012E4FG35689: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1C15S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.95 V | Converter Inverter Brake | 500 nA | 15 A | 142.8 W |
