Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400DU120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 800 nA 560 A 1.785 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400SK120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 800 nA 560 A 1.785 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400TL65G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 650 V 1.5 V 1.2 uA 500 A 1.15 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 600 nA 650 A 1.785 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400U170D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 400 nA 800 A 2.08 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT450A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Dual 600 nA 550 A 1.75 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT450DA60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Single 600 nA 550 A 1.75 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT450SK60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Single 600 nA 550 A 1.75 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 75 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A170T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 75 A 312 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 75 A 312 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DA120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 75 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DDA120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 75 A 270 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DDA60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DH120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 75 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DH170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Dual 400 nA 75 A 312 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DH60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DU120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 75 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Full Bridge 400 nA 75 A 270 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Full Bridge 400 nA 75 A 312 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H60RT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 80 A 176 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50SK120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 75 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50SK170T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 400 nA 75 A 312 W
...1011121314...