Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FP150R12KT4 FP150R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Hex	100 nA	150 A	20 mW
FP150R12KT4P FP150R12KT4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Hex	100 nA	150 A	20 mW
FP150R12KT4P_B11 FP150R12KT4P_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Hex	100 nA	150 A	20 mW
FP150R12KT4_B11 FP150R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Hex	100 nA	150 A	20 mW
FP15R06KL4 FP15R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	400 nA	20 A	78 W
FP15R06W1E3 FP15R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2 V	Array 7	400 nA	22 A	81 W
FP15R06W1E3_B11 FP15R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R06YE3_B4 FP15R06YE3_B4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.55 V	IGBT-Inverter	400 nA	22 A	71.5 W
FP15R12KE3 FP15R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	27 A
FP15R12KE3G FP15R12KE3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	Hex	400 nA	15 A	100 W
FP15R12KS4C FP15R12KS4C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	3.2 V	Hex	400 nA	15 A	180 W
FP15R12KT3 FP15R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	25 A
FP15R12W1T4 FP15R12W1T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	28 A
FP15R12W1T4PB11BPSA1 FP15R12W1T4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W1T4PBPSA1 FP15R12W1T4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W1T4_B11 FP15R12W1T4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4_B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W1T7B11BOMA1 FP15R12W1T7B11BOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W1T7B3BOMA1 FP15R12W1T7B3BOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T7B3BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W1T7PB3BPSA1 FP15R12W1T7PB3BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T7PB3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12W2T4 FP15R12W2T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP15R12YT3 FP15R12YT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	25 A
FP20R06KL4 FP20R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	400 nA	25 A	78 W
FP20R06W1E3 FP20R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Array 7	27 A
FP20R06W1E3_B11 FP20R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon