Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FP35R12W2T4_B11 FP35R12W2T4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP40R12KE3 FP40R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.3 V	Hex	400 nA	55 A	200 W
FP40R12KE3G FP40R12KE3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.3 V	Hex	400 nA	40 A	200 W
FP40R12KT3 FP40R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	55 A
FP40R12KT3G FP40R12KT3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	55 A
FP50R06KE3 FP50R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Array 7	60 A
FP50R06W2E3 FP50R06W2E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06W2E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	IGBT-Inverter	400 nA	65 A	175 W
FP50R06W2E3_B11 FP50R06W2E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06W2E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP50R07N2E4 FP50R07N2E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP50R07N2E4_B11 FP50R07N2E4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R07N2E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP50R12KE3 FP50R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Hex	400 nA	75 A	270 W
FP50R12KS4C FP50R12KS4C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	3.2 V	Hex	400 nA	50 A	230 W
FP50R12KT3 FP50R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	75 A
FP50R12KT4 FP50R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.25 V	3-Phase	100 nA	50 A	280 W
FP50R12KT4G FP50R12KT4G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.25 V	3-Phase	100 nA	50 A	280 W
FP50R12KT4G_B15 FP50R12KT4G_B15	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4G_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP50R12KT4PBPSA1 FP50R12KT4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	3-Phase	100 nA	50 A
FP50R12KT4_B11 FP50R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	50 A
FP75R06KE3 FP75R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Array 7	95 A
FP75R07N2E4 FP75R07N2E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.95 V	400 nA	75 A	250 W
FP75R12KE3 FP75R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Hex	400 nA	105 A	350 W
FP75R12KT3 FP75R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Hex	400 nA	105 A	355 W
FP75R12KT4 FP75R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.25 V	3-Phase	100 nA	150 A	385 W
FP75R12KT4PB11BPSA1 FP75R12KT4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP75R12KT4PBPSA1 FP75R12KT4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon