IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 45 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12W1T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 40 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Hex | 400 nA | 500 A | 1450 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 450 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.45 V | Hex | 400 nA | 375 A | 1650 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 34 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Hex | 400 nA | 45 A | 150 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06XE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 37 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06XL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 35 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | Hex | 400 nA | 55 A | 200 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 55 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 65 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12W1T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS380R12A6T4BBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS3L30R07W2H3FB11BPSA2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS3L40R07W2H5FB11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS3L50R07W2H3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS400R07A3E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 

 
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                    