Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 45 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12W1T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 40 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Hex 400 nA 500 A 1450 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 450 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 2.45 V Hex 400 nA 375 A 1650 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R17OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 34 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V 2 V Hex 400 nA 45 A 150 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06XE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 37 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS30R06XL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 35 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.15 V Hex 400 nA 55 A 200 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 55 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 65 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12W1T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS380R12A6T4BBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS3L30R07W2H3FB11BPSA2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS3L40R07W2H5FB11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS3L50R07W2H3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS400R07A3E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
...3435363738...