IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | IGBT-Inverter | 100 nA | 83 A | 335 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 100 nA | 83 A | 335 W | ||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R17KE3_B17: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | IGBT-Inverter | 400 nA | 82 A | 345 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS600R07A2E3B31BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS600R07A2E3B32BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS600R07A2E3_B31: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS660R08A6P2FBBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 750 V | 1.1 V | 6-Pack | 400 nA | 450 A | 1053 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS660R08A6P2FLBBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 750 V | 1.1 V | 6-Pack | 400 nA | 450 A | 20 mW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS6R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Hex | 400 nA | 11 A | 40.5 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.9 V | Hex | 400 nA | 75 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.55 V | IGBT-Inverter | 400 nA | 75 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07N2E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07U1E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.55 V | 6-Pack | 100 nA | 100 A | 275 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07W2E3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.7 V | 3-Phase | 400 nA | 95 A | 275 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07W2E3_B11A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.7 V | 3-Phase | 400 nA | 95 A | 275 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Hex | 400 nA | 105 A | 350 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Hex | 400 nA | 105 A | 355 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | IGBT-Inverter | 100 nA | 105 A | 355 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.2 V | Hex | 400 nA | 100 A | 500 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | Hex | 400 nA | 105 A | 355 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | Hex | 400 nA | 100 A | 455 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 100 nA | 107 A | 375 W | ||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon |
