Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.75 V Single 400 nA 400 A 2400 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.05 V 400 nA 400 A 2400 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Single Dual Emitter 510 A
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V Single Dual Emitter 620 A
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R17KE3_S4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R33KL2C_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 3300 V Single Dual Collector Dual Emitter 750 A
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ500R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 900 A 2.8 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 3.2 V Single 400 nA 700 A 3900 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 2.45 V Dual 400 nA 1070 A 3150 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R17KE3_S4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ750R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 6500 V 3 V Single 400 nA 750 A 3000 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Single 800 A
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R12KS4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 3.7 V Dual 400 nA 1200 A 7.6 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 3300 V 3.4 V Single 400 nA 1300 A 9.6 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R45KL3_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ900R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.1 V 400 nA 900 A 4300 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ900R12KP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module GB100XCP12-227: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Semiconductor IGBT Silicon Carbide Modules 1200 V 1.9 V IGBT-Inverter 400 nA
...3940414243...