IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | Single | 400 nA | 400 A | 2400 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 400 nA | 400 A | 2400 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Single Dual Emitter | 510 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Single Dual Emitter | 620 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 3300 V | Single Dual Collector Dual Emitter | 750 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 900 A | 2.8 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.2 V | Single | 400 nA | 700 A | 3900 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.45 V | Dual | 400 nA | 1070 A | 3150 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 6500 V | 3 V | Single | 400 nA | 750 A | 3000 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Single | 800 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.7 V | Dual | 400 nA | 1200 A | 7.6 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 3300 V | 3.4 V | Single | 400 nA | 1300 A | 9.6 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | 400 nA | 900 A | 4300 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Semiconductor | IGBT Silicon Carbide Modules | 1200 V | 1.9 V | IGBT-Inverter | 400 nA |
