Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
IRGS10B60KDTRRP IRGS10B60KDTRRP	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRGS10B60KDTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	Single	22 A
IXA 40PG1200DHG LB IXA 40PG1200DHG LB	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA 40PG1200DHG LB: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	200 nA	63 A	230 W
IXA20PG1200DHG-TRR IXA20PG1200DHG-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA20PG1200DHG-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Dual	32 A	130 W
IXA20PG1200DHG-TUB IXA20PG1200DHG-TUB	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA20PG1200DHG-TUB: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Dual	32 A	130 W
IXA20PG1200DHGLB-TRR IXA20PG1200DHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA20PG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Dual	500 nA	32 A	130 W
IXA20RG1200DHGLB-TRR IXA20RG1200DHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA20RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	32 A	125 W
IXA30PG1200DHG-TRR IXA30PG1200DHG-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA30PG1200DHG-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.9 V	Dual	43 A	150 W
IXA30PG1200DHG-TUB IXA30PG1200DHG-TUB	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA30PG1200DHG-TUB: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.9 V	Dual	43 A	150 W
IXA30PG1200DHGLB-TRR IXA30PG1200DHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA30PG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.9 V	Dual	500 nA	43 A	150 W
IXA30RG1200DHGLB-TRR IXA30RG1200DHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA30RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	43 A	147 W
IXA40PF1200TDHGLB-TRR IXA40PF1200TDHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40PF1200TDHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS
IXA40PG1200DHG-TRR IXA40PG1200DHG-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40PG1200DHG-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	63 A	230 W
IXA40PG1200DHG-TUB IXA40PG1200DHG-TUB	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40PG1200DHG-TUB: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	63 A	230 W
IXA40PG1200DHGLB-TRR IXA40PG1200DHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40PG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	200 nA	63 A	230 W
IXA40RG1200DHGLB-TRR IXA40RG1200DHGLB-TRR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	61 A	215 W
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA60IF1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	88 A	290 W
IXA70I1200NA IXA70I1200NA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA70I1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	100 A	350 W
IXA70R1200NA IXA70R1200NA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA70R1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	100 A	350 W
IXA90IF650NA IXA90IF650NA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA90IF650NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS
IXBN75N170 IXBN75N170	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXBN75N170: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS
IXG70IF1200NA IXG70IF1200NA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXG70IF1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.2 V	130 A
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGA20N120B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.7 V	Single	100 nA	36 A
IXGA24N120C3 IXGA24N120C3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGA24N120C3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	Single	100 nA	48 A	250 W
IXGH12N120A3 IXGH12N120A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH12N120A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Single	100 nA	22 A
IXGH30N120C3H1 IXGH30N120C3H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.6 V	Single	100 nA	48 A