Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
MIXA80W1200TEH MIXA80W1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	120 A	390 W
MIXA80WB1200TEH MIXA80WB1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	120 A	390 W
MIXA81H1200EH MIXA81H1200EH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA81H1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Full Bridge	500 nA	120 A	390 W
MIXA81WB1200TEH MIXA81WB1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA81WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	90 A; 120 A	290 W; 390 W
MKI100-12F8 MKI100-12F8	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI100-12F8: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	600 nA	125 A	640 W
MKI50-06A7 MKI50-06A7	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI50-06A7: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	600 V	Quad	200 nA	72 A	225 W
MKI50-12F7 MKI50-12F7	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI50-12F7: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules
MKI75-06A7 MKI75-06A7	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI75-06A7: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	600 V	Quad	200 nA	90 A	280 W
MKI75-06A7T MKI75-06A7T	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI75-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	600 V	Quad	200 nA	90 A	280 W
MKI80-06T6K MKI80-06T6K	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI80-06T6K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules
MMIX1G120N120A3V1 MMIX1G120N120A3V1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX1G120N120A3V1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Single	100 nA	220 A
MMIX1Y100N120C3H1 MMIX1Y100N120C3H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX1Y100N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.9 V	Single	100 nA	92 A
MMIX4G20N250 MMIX4G20N250	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX4G20N250: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	2500 V	3.1 V	Half Bridge	100 nA	23 A
MWI25-12A7T MWI25-12A7T	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI25-12A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	50 A
MWI30-06A7T MWI30-06A7T	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI30-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	600 V	Hex	200 nA	45 A	140 W
MWI50-12A7T MWI50-12A7T	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI50-12A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	85 A
MWI75-06A7T MWI75-06A7T	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI75-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	90 A
NXH100B120H3Q0PTG NXH100B120H3Q0PTG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH100B120H3Q0PTG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	1.77 V	Dual	800 nA	50 A	186 W
NXH100B120H3Q0STG NXH100B120H3Q0STG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH100B120H3Q0STG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	1.77 V	Dual	800 nA	50 A	186 W
NXH160T120L2Q2F2SG NXH160T120L2Q2F2SG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH160T120L2Q2F2SG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	600 V; 1200 V	1.47 V; 2.15 V	Split-T	300 nA; 500 nA	100 A; 160 A	500 W
NXH80B120H2Q0SG NXH80B120H2Q0SG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80B120H2Q0SG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Carbide Modules	1200 V	2.2 V	Dual	200 nA	40 A	103 W
NXH80T120L2Q0P2TG NXH80T120L2Q0P2TG	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0P2TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.05 V	300 nA	67 A	158 W
NXH80T120L2Q0S1G NXH80T120L2Q0S1G	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0S1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	600 V; 1200 V	1.4 V; 2.05 V	T-Type	200 nA; 300 nA	49 A; 67 A	158 W
STGE200NB60S STGE200NB60S	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGE200NB60S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics	600 V	1.2 V	Single Dual Emitter	100 nA	200 A	600 W
STGIB10CH60S-E STGIB10CH60S-E	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB10CH60S-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	STMicroelectronics