История:
2EDGKA-5.0-02P
IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
IXYS | 1200 V | 1.8 V | 6-Pack | 500 nA | 120 A | 390 W | ||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | 1200 V | 500 nA | 120 A | 390 W | ||||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | 1200 V | 1.8 V | Full Bridge | 500 nA | 120 A | 390 W | ||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | 1200 V | 1.8 V | 6-Pack | 500 nA | 90 A; 120 A | 290 W; 390 W | ||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 600 nA | 125 A | 640 W | |||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 600 V | Quad | 200 nA | 72 A | 225 W | |
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 600 V | Quad | 200 nA | 90 A | 280 W | |
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 600 V | Quad | 200 nA | 90 A | 280 W | |
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Single | 100 nA | 220 A | ||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.9 V | Single | 100 nA | 92 A | ||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 2500 V | 3.1 V | Half Bridge | 100 nA | 23 A | ||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 50 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 600 V | Hex | 200 nA | 45 A | 140 W | |
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 85 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 90 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | IGBT Silicon Carbide Modules | 1200 V | 1.77 V | Dual | 800 nA | 50 A | 186 W | |
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | IGBT Silicon Carbide Modules | 1200 V | 1.77 V | Dual | 800 nA | 50 A | 186 W | |
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | IGBT Silicon Modules | 600 V; 1200 V | 1.47 V; 2.15 V | Split-T | 300 nA; 500 nA | 100 A; 160 A | 500 W | |
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | IGBT Silicon Carbide Modules | 1200 V | 2.2 V | Dual | 200 nA | 40 A | 103 W | |
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 300 nA | 67 A | 158 W | ||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | IGBT Silicon Modules | 600 V; 1200 V | 1.4 V; 2.05 V | T-Type | 200 nA; 300 nA | 49 A; 67 A | 158 W | |
|
|
поиск предложений
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.2 V | Single Dual Emitter | 100 nA | 200 A | 600 W | ||
|
|
поиск предложений
|
STMicroelectronics |
