IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB06N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 12 A | 88 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB06N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 12 A | 88 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB10N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 24 A | 110 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB10N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 24 A | 110 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB15N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 26 A | 130 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB15N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 30 A | 105 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.95 V | 20 V | 40 A | 170 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 41 A | 166 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N60TA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 41 A | 166 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N60TAATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 40 A | 156 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 38 A | 125 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB30N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 55 A | 188 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB30N65ES5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 62 A | 188 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB40N65EF5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB40N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKB40N65ES5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD03N60RFATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.2 V | 20 V | 5 A | 53.6 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD04N60RA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.65 V | 20 V | 8 A | 75 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD04N60RAATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.65 V | 20 V | 8 A | 75 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD04N60RATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.65 V | 20 V | 8 A | 75 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD04N60RFATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.2 V | 20 V | 8 A | 75 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.65 V | 20 V | 12 A | 100 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.65 V | 20 V | 12 A | 100 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.2 V | 20 V | 12 A | 100 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RFA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.2 V | 20 V | 12 A | 100 W |
