Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65F5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 80 A 305 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 80 A 305 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 80 A 305 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 80 A 305 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65H5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 80 A 305 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW60N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 80 A 416 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW60T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 100 A 375 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW60T120FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 100 A 375 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 140 A 428 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 150 A 428 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 150 A 428 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 120 A 395 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ100N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 161 A 536 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ50N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 85 A 273 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ75N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 119 A 395 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW15N120E1XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.5 V 20 V 30 A 156 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW15N120R3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.48 V 20 V 30 A 254 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW15N120R3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.48 V 20 V 30 A 254 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N120R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.55 V 20 V 40 A 288 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N135R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1350 V 1.65 V 20 V 40 A 288 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N135R5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1350 V 1.65 V 20 V 40 A 288 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N65R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 40 A 150 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW25N120E1XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.5 V 20 V 50 A 231 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW30N110R3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1100 V 1.55 V 20 V 60 A 333 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IHW30N110R3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1100 V 1.55 V 20 V 60 A 333 W
...1314151617...