IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65F5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 305 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 305 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 305 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 305 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65H5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 305 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW60N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 416 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW60T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 100 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW60T120FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 100 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.85 V | 20 V | 140 A | 428 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 150 A | 428 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 150 A | 428 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW75N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 120 A | 395 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ100N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 161 A | 536 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ50N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 85 A | 273 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ75N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 119 A | 395 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW15N120E1XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.5 V | 20 V | 30 A | 156 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW15N120R3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.48 V | 20 V | 30 A | 254 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW15N120R3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.48 V | 20 V | 30 A | 254 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N120R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 288 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N135R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1350 V | 1.65 V | 20 V | 40 A | 288 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N135R5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1350 V | 1.65 V | 20 V | 40 A | 288 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N65R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 40 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW25N120E1XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.5 V | 20 V | 50 A | 231 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW30N110R3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1100 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 333 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IHW30N110R3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1100 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 333 W |
