Пн-пт: 9:00 - 17:30

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Сравнить 0 товара

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Collector-Emitter Voltage	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum Gate Emitter Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Power Dispation
IGW15T120 IGW15T120	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW15T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	20 V	30 A	110 W
IGW20N60H3 IGW20N60H3	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW20N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.4 V	20 V	40 A	170 W
IGW25N120H3 IGW25N120H3	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW25N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.05 V	20 V	50 A	326 W
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW25N120H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.05 V	20 V	50 A	326 W
IGW25N120H3XK IGW25N120H3XK	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW25N120H3XK: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.05 V	20 V	50 A	326 W
IGW25T120 IGW25T120	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW25T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	20 V	50 A	190 W
IGW30N60H3 IGW30N60H3	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.95 V	20 V	60 A	187 W
IGW30N60T IGW30N60T	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW30N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.5 V	20 V	60 A	187 W
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW30N60TPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.6 V	20 V	53 A	200 W
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW30N65L5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.05 V	20 V	85 A	227 W
IGW40N120H3 IGW40N120H3	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.05 V	20 V	80 A	483 W
IGW40N60H3 IGW40N60H3	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.95 V	20 V	80 A	306 W
IGW40N60TPXKSA1 IGW40N60TPXKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N60TPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.6 V	20 V	67 A	246 W
IGW40N65F5 IGW40N65F5	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.6 V	20 V	74 A	250 W
IGW40N65F5AXKSA1 IGW40N65F5AXKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N65F5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.6 V	20 V	74 A	250 W
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.6 V	20 V	74 A	250 W
IGW40N65H5 IGW40N65H5	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.65 V	20 V	74 A	250 W
IGW40N65H5AXKSA1 IGW40N65H5AXKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.65 V	20 V	74 A	250 W
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40N65H5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.65 V	20 V	74 A	250 W
IGW40T120 IGW40T120	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW40T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	20 V	75 A	270 W
IGW50N60H3 IGW50N60H3	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.85 V	20 V	100 A	333 W
IGW50N60T IGW50N60T	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.5 V	20 V	90 A	333 W
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.5 V	20 V	90 A	333 W
IGW50N60TPXKSA1 IGW50N60TPXKSA1	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N60TPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.5 V	20 V	90 A	333 W
IGW50N65F5 IGW50N65F5	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	650 V	1.6 V	20 V	80 A	305 W