История:
MAA400-1C28SDP
IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N65H5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 270 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 80 A | 270 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGD01N120H2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGD06N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 12 A | 88 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP06N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 12 A | 88 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP06N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 12 A | 88 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP10N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 24 A | 110 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP10N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 24 A | 110 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP20N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.95 V | 20 V | 40 A | 170 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP20N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 42 A | 125 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP20N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 42 A | 125 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.95 V | 20 V | 60 A | 187 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.9 V | 20 V | 55 A | 188 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.9 V | 20 V | 55 A | 188 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.9 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.9 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.95 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 90 A | 333 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGP50N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 90 A | 333 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGU04N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW08T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 16 A | 70 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW100N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.85 V | 20 V | 140 A | 714 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IGW15N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 2.05 V | 20 V | 30 A | 217 W |
