Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N65H5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 80 A 270 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 80 A 270 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGD01N120H2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 20 V
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGD06N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 12 A 88 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP06N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 12 A 88 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP06N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 12 A 88 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP10N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 24 A 110 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP10N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 24 A 110 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP20N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 40 A 170 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP20N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 42 A 125 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP20N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 42 A 125 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 60 A 187 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.9 V 20 V 55 A 188 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.9 V 20 V 55 A 188 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.9 V 20 V 74 A 250 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.9 V 20 V 74 A 250 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.95 V 20 V 74 A 250 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP40N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 74 A 250 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 90 A 333 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGP50N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 90 A 333 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGU04N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW08T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 16 A 70 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW100N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 140 A 714 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGW15N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.05 V 20 V 30 A 217 W
...1112131415...