IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGL12040WD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGL35N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGL40N120ANDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 25 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGP10N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.3 V | 20 V | 10 A | 139 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGP15N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.7 V | 20 V | 30 A | 178 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGP20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGP3040G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGP3440G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.6 V | 10 V | 26.9 A | 166 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGP5N60LS: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.8 V | 20 V | 10 A | 83 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGPF10N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2 V | 20 A | 17 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGPF4565: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.88 V | 25 V | 30 A | 30 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY100T65SCDT: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.5 V | 25 V | 200 A | 750 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY120T65SPD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.5 V | 20 V | 240 A | 882 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY160T65SPD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 20 V | 240 A | 882 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY40T120SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2 V | 30 V | 80 A | 882 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY60T120SQDN: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.7 V | 25 V | 120 A | 517 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY75N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.9 V | 20 V | 150 A | 750 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY75T120SQDN: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 150 A | 790 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY75T95LQDT: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 950 V | 1.3 V | 20 V | 75 A | 453 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGY75T95SQDT: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 950 V | 1.69 V | 20 V | 75 A | 434 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FII30-06D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 1.9 V | 20 V | 30 A | 100 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-HGT1S10N120BNST: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.7 V | 20 V | 35 A | 298 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-HGTD1N120BNS9A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 5.3 A | 60 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG10N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.45 V | 20 V | 17 A | 298 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG11N120CND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 43 A | 298 W |
