IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SMDF-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N65UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N65UFDTU-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 290 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T100SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1000 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 333 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T100SMD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T120SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.8 V | 25 V | 80 A | 555 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T120SMD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2 V | 25 V | 80 A | 555 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T120SMDL4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.8 V | 25 V | 80 A | 555 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T120SQDNL4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.78 V | 20 V | 160 A | 454 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65SH-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65SHD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65SHDF-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.45 V | 30 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65SPD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 267 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65SPD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.51 V | 20 V | 80 A | 267 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65SQD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 80 A | 238 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65UPD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T65UQDF-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.33 V | 20 V | 80 A | 231 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40T70SHD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 700 V | 2.37 V | 20 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH50N3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 300 V | 1.3 V | 20 V | 75 A | 463 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH50T65SQD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH50T65UPD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.1 V | 25 V | 100 A | 240 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH60N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH60N60SFDTU-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 120 A | 378 W |
