IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA50T65SHD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.14 V | 30 V | 100 A | 319 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA6065ADF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.8 V | 20 V | 120 A | 306 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA60N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | 120 A | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA60N65SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 600 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA6530WDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.8 V | 20 V | 60 A | 176 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA6540WDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 238 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA6560WDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.8 V | 30 V | 120 A | 306 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGAF20N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.9 V | 20 V | 40 A | 62.5 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGAF40N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 79 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGAF40N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 3 V | 20 V | 40 A | 100 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGAF40S65AQ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 94 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB20N60SF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 40 A | 208 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB20N60SFD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.8 V | 20 V | 40 A | 83 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB20N60SFD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.4 V | 20 V | 40 A | 208 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB3040CS: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB3040G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.15 V | 10 V | 41 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB3236-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB3245G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 450 V | 1.64 V | 10 V | 23 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB40N60SM: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 349 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB40T65SPD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.9 V | 20 V | 80 A | 267 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB5N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.4 V | 20 V | 10 A | 73.5 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGB7N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.1 V | 20 V | 14 A | 83 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGBS3040E1-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD2736G3-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 360 V | 1.45 V | 14 V | 21 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3040G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.15 V | 10 V | 23.2 A | 150 W |
