IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-DGTD65T50S1PT: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Diodes Incorporated | 650 V | 1.85 V | 20 V | 100 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-DGTD65T60S2PT: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Diodes Incorporated | 650 V | 1.85 V | 20 V | 100 A | 428 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA15N120ANTDTU-F109: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA15S125P: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1250 V | 2.72 V | 25 V | 30 A | 136 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA20N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 25 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA20S125P-SN00336: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1250 V | 2 V | 25 V | 40 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA20S140P: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1400 V | 2.2 V | 25 V | 40 A | 272 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA25N120ANTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2 V | 20 V | 50 A | 312 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA25N120ANTDTU-F109: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA25S125P-SN00337: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1250 V | 1.8 V | 6 V | 50 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA3060ADF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.8 V | 30 V | 60 A | 176 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2 V | 25 V | 30 A | 339 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N60LSDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N65SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.29 V | 20 V | 60 A | 300 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30S120P: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1300 V | 2.3 V | 25 V | 60 A | 174 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30T65SHD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.14 V | 30 V | 60 A | 238 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA4060ADF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.8 V | 30 V | 80 A | 238 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA40N65SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.5 V | 20 V | 80 A | 349 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA40S65SH: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.4 V | 20 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA40T65SHD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.14 V | 30 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA40T65SHDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.81 V | 30 V | 80 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA40T65UQDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.33 V | 20 V | 80 A | 231 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA5065ADF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.28 V | 30 V | 100 A | 268 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA50N100BNTD2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1000 V | 1.5 V | 25 V | 50 A | 156 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGA50S110P: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1100 V | 2.7 V | 25 V | 50 A | 300 W |
