IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3040G2-F085V: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.15 V | 10 V | 41 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3050G2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 500 V | 1.3 V | 10 V | 27 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3325G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 250 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3440G2-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.1 V | 14 V | 26.9 A | 166 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60LSDTM: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.4 V | 20 V | 6 A | 60 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGD5T120SH: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.9 V | 25 V | 10 A | 69 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH12040WD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH15T120SMD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.9 V | 25 V | 30 A | 333 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60SFDTU-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 40 A | 165 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH25N120FTDS: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH25T120SMD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.9 V | 25 V | 50 A | 428 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH30N60LSDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH30S130P: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1300 V | 1.9 V | 25 V | 60 A | 500 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH30S150P: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1.5 kV | 2.15 V | 25 V | 60 A | 500 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH30T65UPDT-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.1 V | 20 V | 60 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N120ANTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 25 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SFDTU-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 290 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 290 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 2.1 V | 80 A | 349 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SMD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 349 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SMDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.9 V | 20 V | 80 A | 349 W |
