Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG12N60C3D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.65 V 20 V 24 A 104 W
HGTG18N120BND HGTG18N120BND HGTG18N120BND
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG18N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 1200 V 2.45 V 20 V 54 A 390 W
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG20N60A4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.8 V 20 V 70 A 290 W
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG20N60A4D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.8 V 20 V 70 A 290 W
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG20N60B3D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.8 V 20 V 20 A 165 W
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG30N60A4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.8 V 20 V 75 A 463 W
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG30N60A4D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.8 V 20 V 75 A 463 W
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 HGTG30N60B3
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG30N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.45 V 20 V 60 A 208 W
HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG30N60B3D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.45 V 20 V 60 A 208 W
HGTG40N60A4 HGTG40N60A4 HGTG40N60A4
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG40N60A4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.7 V 20 V 75 A 625 W
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-HGTP12N60C3D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		ON Semiconductor 600 V 1.65 V 20 V 24 A 104 W
IDW40E65D2 IDW40E65D2 IDW40E65D2
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IDW40E65D2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
IEWS20R5135IPBXKMA1 IEWS20R5135IPBXKMA1 IEWS20R5135IPBXKMA1
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IEWS20R5135IPBXKMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1350 V 1.65 V 20 V 40 A 288 W
IGA03N120H2 IGA03N120H2 IGA03N120H2
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGA03N120H2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 20 V
IGB10N60T IGB10N60T IGB10N60T
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB10N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 24 A 110 W
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB10N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 24 A 110 W
IGB15N60T IGB15N60T IGB15N60T
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB15N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 26 A 130 W
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB15N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 26 A 130 W
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB15N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 650 V 1.35 V 20 V 35 A 105 W
IGB20N60H3 IGB20N60H3 IGB20N60H3
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB20N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.95 V 20 V 40 A 170 W
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB20N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 650 V 1.35 V 20 V 40 A 125 W
IGB30N60H3 IGB30N60H3 IGB30N60H3
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.95 V 20 V 60 A 187 W
IGB30N60T IGB30N60T IGB30N60T
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB30N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.95 V 20 V 60 A 187 W
IGB50N60T IGB50N60T IGB50N60T
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 90 A 333 W
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 90 A 333 W
...1011121314...