Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RFATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 20 V 12 A 100 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD10N60RATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.65 V 20 V 20 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD10N60RF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 20 V 20 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD10N60RFATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 20 V 20 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD15N60RATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.65 V 20 V 30 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD15N60RF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 20 V 30 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD15N60RFAATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 20 V 30 A 240 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKD15N60RFATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 20 V 30 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW40N60DH3EXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.3 V 30 V 34 A 111 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW50N60DH3EXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 30 V 40 A 130 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW50N60DH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 30 V 53 A 145 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW50N60ETXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 73 A 164 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW60N60DH3EXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.2 V 30 V 53 A 141 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW60N60EH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 63 A 164 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW90N60EH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 77 A 178 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP04N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 9.5 A 42 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP06N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 12 A 88 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP06N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 12 A 88 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP08N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 18 A 70 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP08N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 18 A 70 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP08N65H5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 18 A 70 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP08N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 18 A 70 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP15N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 26 A 110 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP15N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 30 A 105 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKP15N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 30 A 105 W
...1617181920...