Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW15N120T2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.2 V 20 V 30 A 235 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW15T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 30 A 110 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW20N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 40 A 170 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW20N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 40 A 170 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW20N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 40 A 166 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW20N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 41 A 166 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.05 V 20 V 50 A 326 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.05 V 20 V 50 A 326 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120H3XK: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.05 V 20 V 50 A 326 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120T2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 50 A 349 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 50 A 190 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25T120FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 50 A 190 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60DTPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 53 A 200 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 60 A 187 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 60 A 187 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 60 A 187 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60TA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.9 V 20 V 45 A 187 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.9 V 20 V 45 A 187 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N65EL5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.05 V 20 V 85 A 227 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N65ES5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 62 A 188 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N65ES5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 62 A 188 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N65NL5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.05 V 20 V 85 A 227 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N65WR5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.4 V 20 V 60 A 185 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120CS6XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.85 V 20 V 80 A 500 W
...1819202122...