Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.05 V 20 V 80 A 483 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.7 V 20 V 80 A 483 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120T2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.75 V 20 V 75 A 480 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120T2FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.75 V 20 V 75 A 480 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N60DTPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 67 A 246 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65ES5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 79 A 230 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65ES5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 79 A 230 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65F5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 74 A 255 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 74 A 255 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.66 V 20 V 74 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65H5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 74 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 75 A 270 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40T120FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 75 A 270 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW40T120XK: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 1.7 V 20 V 75 A 270 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60DTPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 80 A 319.2 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.25 V 20 V 100 A 333 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 100 A 333 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 80 A 333 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60TA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.9 V 20 V 80 A 333 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.5 V 20 V 80 A 333 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65EH5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.65 V 20 V 80 A 275 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65ES5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 80 A 274 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65ES5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.35 V 20 V 80 A 274 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.6 V 20 V 80 A 305 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.66 V 20 V 80 A 270 W
...1920212223...