IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120H3: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 2.05 V | 20 V | 80 A | 483 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 2.7 V | 20 V | 80 A | 483 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120T2: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 1.75 V | 20 V | 75 A | 480 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N120T2FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 1.75 V | 20 V | 75 A | 480 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N60DTPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 67 A | 246 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65ES5: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65ES5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65F5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 74 A | 255 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 74 A | 255 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.66 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40N65H5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 74 A | 250 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40T120: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 75 A | 270 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40T120FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 75 A | 270 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW40T120XK: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 75 A | 270 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60DTPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 319.2 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 2.25 V | 20 V | 100 A | 333 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 1.85 V | 20 V | 100 A | 333 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 333 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60TA: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 1.9 V | 20 V | 80 A | 333 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 600 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 333 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65EH5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 275 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65ES5: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 80 A | 274 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65ES5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.35 V | 20 V | 80 A | 274 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65F5FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 305 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65H5AXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затворомПодробнее | Infineon | 650 V | 1.66 V | 20 V | 80 A | 270 W | 

 
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                    