Пн-пт: 9:00 - 17:30

История: 2EDGRC-7.5-02P 2EDGRC-5.0-02P ASMD150F-2 PIC32MX270F512LT-I/PT PIC18F26Q43-I/SP

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Сравнить 0 товара

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Collector-Emitter Voltage	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum Gate Emitter Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Power Dispation
IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30FD-SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC30FD-SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.8 V	20 V	31 A	100 W
IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC30FDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.59 V	20 V	31 A	100 W
IRG4BC30KD-SPBF IRG4BC30KD-SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC30KD-SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.7 V	20 V	28 A	100 W
IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC30SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.4 V	20 V	34 A	100 W
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC30UPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.1 V	20 V	23 A	100 W
IRG4BC30WPBF IRG4BC30WPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC30WPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.7 V	20 V	23 A	100 W
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40FPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.7 V	20 V	49 A	160 W
IRG4BC40KPBF IRG4BC40KPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40KPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.6 V	20 V	42 A	160 W
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.5 V	20 V	60 A	160 W
IRG4BC40UPBF IRG4BC40UPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40UPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.1 V	20 V	40 A	160 W
IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40W-LPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.5 V	20 V	40 A	160 W
IRG4BC40W-SPBF IRG4BC40W-SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40W-SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.05 V	20 V	40 A	160 W
IRG4BC40WPBF IRG4BC40WPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BC40WPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.5 V	20 V	40 A	160 W
IRG4BH20K-SPBF IRG4BH20K-SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4BH20K-SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	3.17 V	20 V	11 A	60 W
IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4IBC10UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.15 V	20 V	6.8 A	25 W
IRG4IBC20KDPBF IRG4IBC20KDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4IBC20KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.8 V	20 V	11.5 A	34 W
IRG4IBC30KDPBF IRG4IBC30KDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4IBC30KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.7 V	20 V	17 A	45 W
IRG4IBC30UDPBF IRG4IBC30UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4IBC30UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.95 V	20 V	17 A	45 W
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4IBC30WPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.1 V	20 V	17 A	45 W
IRG4PC30FDPBF IRG4PC30FDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC30FDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.8 V	20 V	31 A	100 W
IRG4PC30FPBF IRG4PC30FPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC30FPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.59 V	20 V	31 A	100 W
IRG4PC30KDPBF IRG4PC30KDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC30KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.21 V	20 V	28 A	100 W
IRG4PC30SPBF IRG4PC30SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC30SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.6 V	20 V	34 A	100 W
IRG4PC30UDPBF IRG4PC30UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC30UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.1 V	20 V	23 A	100 W
IRG4PC30UPBF IRG4PC30UPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC30UPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.1 V	20 V	23 A	100 W