Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
IRG4PC40FDPBF IRG4PC40FDPBF IRG4PC40FDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40FDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.7 V 20 V 49 A 160 W
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40FPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 49 A 160 W
IRG4PC40KDPBF IRG4PC40KDPBF IRG4PC40KDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 2.6 V 20 V 42 A 160 W
IRG4PC40SPBF IRG4PC40SPBF IRG4PC40SPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.5 V 20 V 60 A 160 W
IRG4PC40UD-EPBF IRG4PC40UD-EPBF IRG4PC40UD-EPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40UD-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.72 V 20 V 40 A 160 W
IRG4PC40UDPBF IRG4PC40UDPBF IRG4PC40UDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 2.15 V 20 V 40 A 160 W
IRG4PC40WPBF IRG4PC40WPBF IRG4PC40WPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC40WPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 2.5 V 20 V 40 A 160 W
IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC50FDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.6 V 20 V 70 A 200 W
IRG4PC50FPBF IRG4PC50FPBF IRG4PC50FPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC50FPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.6 V 20 V 70 A 200 W
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC50SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.36 V 20 V 70 A 200 W
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC50UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 2 V 20 V 55 A 200 W
IRG4PC50UPBF IRG4PC50UPBF IRG4PC50UPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC50UPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 2 V 20 V 55 A 200 W
IRG4PC50WPBF IRG4PC50WPBF IRG4PC50WPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC50WPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 2.3 V 20 V 55 A 200 W
IRG4PC60FPBF IRG4PC60FPBF IRG4PC60FPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PC60FPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 600 V 1.8 V 20 V 90 A 520 W
IRG4PF50WDPBF IRG4PF50WDPBF IRG4PF50WDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PF50WDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 900 V 2.25 V 20 V 51 A 200 W
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PF50WPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 900 V 2.25 V 20 V 51 A 200 W
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH20KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.17 V 20 V 11 A 60 W
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH20KPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.17 V 20 V 11 A 60 W
IRG4PH30KDPBF IRG4PH30KDPBF IRG4PH30KDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH30KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.1 V 20 V 20 A 100 W
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH30KPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.1 V 20 V 20 A 100 W
IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH40KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.4 V 20 V 30 A 160 W
IRG4PH40UD2-EP IRG4PH40UD2-EP IRG4PH40UD2-EP
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH40UD2-EP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 2.43 V 20 V 41 A 160 W
IRG4PH40UDPBF IRG4PH40UDPBF IRG4PH40UDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH40UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 2.43 V 20 V 41 A 160 W
IRG4PH40UPBF IRG4PH40UPBF IRG4PH40UPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH40UPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.5 V 20 V 30 A 160 W
IRG4PH50KDPBF IRG4PH50KDPBF IRG4PH50KDPBF
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH50KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 3.5 V 20 V 45 A 200 W
...2223242526...