История:
PIC18F25K83-I/SO
IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4063PBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.14 V | 20 V | 96 A | 330 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4066D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.1 V | 20 V | 140 A | 454 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4066DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.1 V | 20 V | 140 A | 454 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4068D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.14 V | 20 V | 96 A | 330 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4068DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.14 V | 20 V | 96 A | 330 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.85 V | 20 V | 76 A | 268 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.85 V | 20 V | 76 A | 268 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4266DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 650 V | 1.7 V | 20 V | 140 A | 455 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4640D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 65 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4640DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 65 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4650D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 76 A | 268 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4650DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 76 A | 268 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4660D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 330 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4660DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 330 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP50B60PD1PBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.35 V | 20 V | 75 A | 390 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP50B60PDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2 V | 20 V | 75 A | 370 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGPS46160DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.7 V | 20 V | 240 A | 750 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGPS60B120KDP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 2.33 V | 20 V | 105 A | 595 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGR3B60KD2TRRP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.9 V | 20 V | 7.8 A | 52 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS30B60KTRRP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.95 V | 20 V | 78 A | 370 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS4B60KD1TRRP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 2.1 V | 20 V | 11 A | 63 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS6B60KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 1.8 V | 20 V | 18 A | 90 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-ISL9V3040D3ST-F085C: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-ISL9V3040S3ST-F085C: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 400 V | 1.25 V | 10 V | 21 A | 150 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-ISL9V5045S3ST-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 480 V | 1.25 V | 10 V | 51 A | 300 mW |
