Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4063PBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.14 V 20 V 96 A 330 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4066D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.1 V 20 V 140 A 454 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4066DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.1 V 20 V 140 A 454 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4068D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.14 V 20 V 96 A 330 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4068DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.14 V 20 V 96 A 330 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 76 A 268 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.85 V 20 V 76 A 268 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4266DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 650 V 1.7 V 20 V 140 A 455 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4640D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 65 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4640DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 65 A 250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4650D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 76 A 268 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4650DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 76 A 268 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4660D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 100 A 330 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4660DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.6 V 20 V 100 A 330 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP50B60PD1PBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.35 V 20 V 75 A 390 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP50B60PDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2 V 20 V 75 A 370 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGPS46160DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.7 V 20 V 240 A 750 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGPS60B120KDP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 1200 V 2.33 V 20 V 105 A 595 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGR3B60KD2TRRP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.9 V 20 V 7.8 A 52 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS30B60KTRRP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.95 V 20 V 78 A 370 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS4B60KD1TRRP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 2.1 V 20 V 11 A 63 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS6B60KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Infineon 600 V 1.8 V 20 V 18 A 90 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-ISL9V3040D3ST-F085C: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-ISL9V3040S3ST-F085C: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 400 V 1.25 V 10 V 21 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-ISL9V5045S3ST-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 480 V 1.25 V 10 V 51 A 300 mW
...2425262728...