Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
IXBN75N170A IXBN75N170A IXBN75N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBN75N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 4.95 V 20 V 75 A 625 W
IXBP5N160G IXBP5N160G IXBP5N160G
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBP5N160G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1600 V 4.9 V 20 V
IXBT12N300HV IXBT12N300HV IXBT12N300HV
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT12N300HV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.8 V 20 V 30 A 160 W
IXBT16N170A IXBT16N170A IXBT16N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V 150 W
IXBT20N360HV IXBT20N360HV IXBT20N360HV
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT20N360HV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3600 V 2.9 V 20 V 70 A 430 W
IXBT2N250 IXBT2N250 IXBT2N250
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT2N250: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 2.5 kV 3.15 V 20 V 5 A 32 W
IXBT42N170 IXBT42N170 IXBT42N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT42N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.3 V 20 V
IXBT42N300HV IXBT42N300HV IXBT42N300HV
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT42N300HV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.5 V 25 V 104 A 500 W
IXBT6N170 IXBT6N170 IXBT6N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT6N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.84 V 20 V 12 A 75 W
IXBX25N250 IXBX25N250 IXBX25N250
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBX25N250: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 2.5 kV 3.3 V 20 V 55 A 300 W
IXBX50N360HV IXBX50N360HV IXBX50N360HV
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBX50N360HV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXBX55N300 IXBX55N300 IXBX55N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBX55N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3000 V 2.7 V 25 V 130 A 625 W
IXBX75N170 IXBX75N170 IXBX75N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBX75N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXDH20N120 IXDH20N120 IXDH20N120
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH20N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.4 V 20 V
IXDH20N120D1 IXDH20N120D1 IXDH20N120D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH20N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.4 V 20 V 38 A 200 W
IXDH30N120D1 IXDH30N120D1 IXDH30N120D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH30N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.4 V 20 V 60 A 300 W
IXDH35N60BD1 IXDH35N60BD1 IXDH35N60BD1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH35N60BD1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.1 V 20 V
IXDN55N120D1 IXDN55N120D1 IXDN55N120D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDN55N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.3 V 20 V
IXDN75N120 IXDN75N120 IXDN75N120
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDN75N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.2 V 20 V
IXDP20N60BD1 IXDP20N60BD1 IXDP20N60BD1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDP20N60BD1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.2 V 20 V 32 A 140 W
IXDR30N120D1 IXDR30N120D1 IXDR30N120D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXDR30N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.4 V 20 V 50 A 200 W
IXGA12N120A3 IXGA12N120A3 IXGA12N120A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGA12N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.4 V 20 V 22 A 100 W
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXGA20N120A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGA20N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 IXGA30N120B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGA30N120B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.96 V 20 V 60 A 300 W
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXGA48N60A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGA48N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
...2627282930...