Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH48N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 2.3 V 20 V 75 A 300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH48N60C3C1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH48N60C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 20 V
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH60N30C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 300 V 1.55 V 20 V 75 A 300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH60N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 2.2 V 20 V 75 A 380 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH6N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1700 V 3 V 20 V 12 A 75 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH6N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1700 V 5.4 V 20 V 6 A 75 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH72N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.35 V 20 V 75 A 540 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH72N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 20 V
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH72N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGK100N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1700 V 2.5 V 20 V 170 A 830 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGK120N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 1.85 V 20 V 240 A 830 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGK120N120B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGK320N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.05 V 20 V 320 A 1 kW
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGK400N30A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 300 V 1.15 V 20 V 400 A 1 kW
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGK72N60A3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.35 V 20 V 75 A 540 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN100N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1700 V 2.5 V 20 V 160 A 735 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN200N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1700 V 2.1 V 20 V 280 A 1250 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN200N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.35 V 20 V 300 A 830 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN320N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 20 V
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN400N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.25 V 20 V 400 A 830 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN72N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.35 V 20 V 160 A 360 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN72N60C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 2.1 V 20 V 78 A 360 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP20N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 2.3 V 20 V 40 A 180 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP20N120B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
...2829303132...