Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
IXGF32N170 IXGF32N170 IXGF32N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGF32N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.7 V 20 V 44 A 200 W
IXGH10N170 IXGH10N170 IXGH10N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V
IXGH10N170A IXGH10N170A IXGH10N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V
IXGH16N170 IXGH16N170 IXGH16N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH16N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.7 V 20 V 32 A 190 W
IXGH16N170A IXGH16N170A IXGH16N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 4.2 V 20 V 16 A 190 W
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXGH20N120A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH20N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.3 V 20 V 40 A 180 W
IXGH24N120C3 IXGH24N120C3 IXGH24N120C3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH24N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 3.6 V 20 V 48 A 250 W
IXGH24N170 IXGH24N170 IXGH24N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH24N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.5 V 20 V 50 A 250 W
IXGH25N160 IXGH25N160 IXGH25N160
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH25N160: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1600 V 20 V
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH28N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.5 V 66 A 190 W
IXGH2N250 IXGH2N250 IXGH2N250
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH2N250: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH30N120B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.96 V 20 V 50 A 300 W
IXGH30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 IXGH30N60C3C1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH30N60C3C1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 IXGH32N120A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH32N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 20 V
IXGH32N170 IXGH32N170 IXGH32N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH32N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V
IXGH32N170A IXGH32N170A IXGH32N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH32N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 4 V 20 V 32 A 350 W
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXGH36N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH36N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH36N60B3C1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.5 V 20 V 75 A 250 W
IXGH36N60B3D1 IXGH36N60B3D1 IXGH36N60B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH36N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.8 V 20 V 200 A 250 W
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXGH40N120A2
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH40N120A2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2 V 20 V 75 A 360 W
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH40N120B2D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 2.9 V 20 V 75 A 380 W
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXGH40N120C3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH40N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH40N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 4.4 V 20 V 75 A 380 W
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXGH48N60A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH48N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.18 V 20 V 120 A 300 W
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH48N60A3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.18 V 20 V 300 W
...2728293031...