Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 IXGP30N120B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP30N120B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGP30N60C3 IXGP30N60C3 IXGP30N60C3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP30N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.6 V 20 V 60 A 220 W
IXGP30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGP30N60C3C1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP30N60C3C1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGP30N60C3D4 IXGP30N60C3D4 IXGP30N60C3D4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP30N60C3D4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.6 V 20 V 60 A 220 W
IXGP48N60C3 IXGP48N60C3 IXGP48N60C3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGP48N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.3 V 20 V 75 A 300 W
IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGR24N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 3.6 V 20 V 48 A 200 W
IXGR48N60B3D1 IXGR48N60B3D1 IXGR48N60B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGR48N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.77 V 20 V 60 A 150 W
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGR48N60C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 20 V
IXGR72N60C3D1 IXGR72N60C3D1 IXGR72N60C3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGR72N60C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.1 V 20 V 75 A 200 W
IXGT10N170 IXGT10N170 IXGT10N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.7 V 20 V 20 A 110 W
IXGT10N170A IXGT10N170A IXGT10N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT10N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 4.5 V 20 V 10 A 140 W
IXGT2N250 IXGT2N250 IXGT2N250
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT2N250: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 2500 V 2.6 V 20 V 5.5 A 32 W
IXGT30N120B3D1 IXGT30N120B3D1 IXGT30N120B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT30N120B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 3.5 V
IXGT32N170 IXGT32N170 IXGT32N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT32N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.5 V 20 V 75 A 350 W
IXGT32N170A IXGT32N170A IXGT32N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT32N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 4 V 20 V
IXGT6N170 IXGT6N170 IXGT6N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT6N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 4 V 20 V
IXGT6N170A IXGT6N170A IXGT6N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT6N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V
IXGT6N170AHV IXGT6N170AHV IXGT6N170AHV
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT6N170AHV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXGX120N120A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGX120N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.85 V 20 V 240 A 830 W
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXGX120N60A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGX120N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.2 V 20 V 200 A 780 W
IXGX120N60B3 IXGX120N60B3 IXGX120N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGX120N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.5 V 20 V 280 A 780 W
IXGX320N60A3 IXGX320N60A3 IXGX320N60A3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXGX320N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.05 V 20 V 320 A 1000 W
IXLF19N250A IXLF19N250A IXLF19N250A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXLF19N250A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 2.5 kV 3.2 V 20 V 32 A 250 W
IXXH100N60B3 IXXH100N60B3 IXXH100N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH100N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.8 V 20 V 210 A 830 W
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXXH110N65C4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH110N65C4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.98 V 20 V 234 A 880 W
...2930313233...