Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
IXXH140N65B4 IXXH140N65B4 IXXH140N65B4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH140N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 W
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXXH150N60C3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH150N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXXH30N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH30N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH30N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.66 V 20 V 60 A 270 W
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH30N60C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXH30N65B4 IXXH30N65B4 IXXH30N65B4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH30N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.66 V 20 V 65 A 230 W
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXXH50N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH50N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH50N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.55 V 20 V 120 A 600 W
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXXH50N60C3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH50N60C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.3 V 20 V 100 A 600 W
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH50N60C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.3 V 20 V 100 A 600 W
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXXH60N65B4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH60N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.7 V 20 V 116 A 455 W
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH60N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.7 V 20 V 116 A 380 W
IXXH75N60B3D1 IXXH75N60B3D1 IXXH75N60B3D1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH75N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXXH80N65B4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH80N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.65 V 20 V 160 A 625 W
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH80N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.65 V 20 V 160 A 625 W
IXXK100N60B3H1 IXXK100N60B3H1 IXXK100N60B3H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXK100N60B3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.8 V 20 V 190 A 695 W
IXXK100N60C3H1 IXXK100N60C3H1 IXXK100N60C3H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXK100N60C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 2.2 V 20 V 170 A 695 W
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXK110N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.75 V 20 V 240 A 880 W
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXXK160N65B4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXK160N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.54 V 20 V 310 A 940 W
IXXK200N65B4 IXXK200N65B4 IXXK200N65B4
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXK200N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 1.4 V 20 V 370 A 1150 W
IXXK300N60B3 IXXK300N60B3 IXXK300N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXK300N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXN100N60B3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXN110N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 650 V 2.1 V 30 V 215 A 750 W
IXXN200N60B3 IXXN200N60B3 IXXN200N60B3
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXN200N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXXR100N60B3H1 IXXR100N60B3H1 IXXR100N60B3H1
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXR100N60B3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 600 V 1.5 V 20 V 145 A 400 W
...3031323334...