Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXR110N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 1.75 V 20 V 150 A 455 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX110N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 1.75 V 20 V 240 A 880 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX160N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 1.54 V 20 V 310 A 940 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX200N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 20 V 370 A 1150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX300N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 600 V 1.3 V 20 V 550 A 2300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYA50N65C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 2.1 V 30 V 130 A 600 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYB82N120C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 2.75 V 30 V 164 A 1040 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH100N65C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 1.85 V 30 V 200 A 830 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH24N170C: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1700 V 3.5 V 20 V 58 A 500 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH24N90C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 900 V 2.7 V 20 V 44 A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH25N250CHV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 2500 V 3.4 V 20 V 95 A 937 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH30N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 3.7 V 30 V 75 A 500 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N120B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 3.6 V 30 V 70 A 577 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 4.8 V 30 V 64 A 480 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N65C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 1.85 V 30 V 80 A 300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N90C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 900 V 2.2 V 30 V 105 A 600 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N90C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 900 V 2.2 V 20 V 90 A 500 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH50N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 2.5 V 30 V 105 A 625 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH50N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 4.2 V 30 V 90 A 625 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH50N65C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 650 V 1.74 V 30 V 130 A 600 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH60N90C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 900 V 2.7 V 20 V 140 A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH80N90C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH82N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 2.75 V 30 V 160 A 1040 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYJ20N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 1200 V 4 V 30 V 21 A 105 W
...3132333435...