Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYX25N250CV1HV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 2.5 kV 3.4 V 20 V 95 A 937 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYX40N450HV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXYY8N90C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 900 V 2.5 V 20 V 20 A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-MMIX1X200N60B3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 175 A 520 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-MMIX4B22N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
IXYS 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB15N41ACLT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 440 V 15 V 15 A 107 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8202ANT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 440 V 15 V 20 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8204ANT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 430 V 18 V 18 A 115 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8206ANSL3G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 390 V 15 V 20 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8206ANTF4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 390 V 15 V 20 A 150 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8207ABNT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 365 V 15 V 20 A 165 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8245NT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGD18N40ACLBT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 430 V 18 V 15 A 115 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGD18N45CLBT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGD8201ANT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 440 V 1.5 V 15 V 20 A 125 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGD8201BNT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGD8205ANT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse 390 V 15 V 20 A 125 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGD8209NT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
Littelfuse
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB03N60R2DT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.7 V 20 V 9 A 49 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB05N60R2DT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.65 V 20 V 16 A 56 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB10N60FG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB10N60R2DT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.7 V 20 V 20 A 72 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N120IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
...3334353637...