Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB60N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 650 V 1.64 V 20 V 100 A 595 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB75N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG12N60TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.6 V 20 V 24 A 54 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG15N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG15N60S1EG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.95 V 20 V 30 A 47 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.65 V 20 V 40 A 64 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG25N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG35N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 650 V 2.2 V 20 V 70 A 300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG40N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NTLUS3A40PZTAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1.7 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGC80TSX8RGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 1.8 kV 2.2 V 30 V 80 A 535 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TK60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 30 A 54 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TK60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 30 A 54 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TS60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 48 A 111 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TS60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 48 A 111 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TK60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 35 A 57 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TK60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 35 A 57 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TS60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 65 A 148 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TS60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 600 V 1.4 V 30 V 65 A 148 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR10BM40FHTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 460 V 1.6 V 10 V 20 A 107 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR20NS43HRTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 460 V 1.6 V 10 V 20 A 107 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR30BM40HRTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 430 V 1.6 V 10 V 30 A 125 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR30NS40HRTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 430 V 1.6 V 10 V 30 A 125 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGPZ10BM40FHTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 460 V 1.6 V 10 V 20 A 107 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGS00TS65DHRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 88 A 326 W
...3536373839...