IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB60N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.64 V | 20 V | 100 A | 595 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB75N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG12N60TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.6 V | 20 V | 24 A | 54 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG15N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG15N60S1EG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.95 V | 20 V | 30 A | 47 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.65 V | 20 V | 40 A | 64 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG25N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG35N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.2 V | 20 V | 70 A | 300 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG40N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NTLUS3A40PZTAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1.7 W | |||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGC80TSX8RGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 1.8 kV | 2.2 V | 30 V | 80 A | 535 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TK60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 30 A | 54 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TK60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 30 A | 54 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TS60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 48 A | 111 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TS60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 48 A | 111 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TK60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 35 A | 57 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TK60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 35 A | 57 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TS60DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 65 A | 148 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL80TS60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 600 V | 1.4 V | 30 V | 65 A | 148 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR10BM40FHTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 460 V | 1.6 V | 10 V | 20 A | 107 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR20NS43HRTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 460 V | 1.6 V | 10 V | 20 A | 107 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR30BM40HRTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 430 V | 1.6 V | 10 V | 30 A | 125 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGPR30NS40HRTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 430 V | 1.6 V | 10 V | 30 A | 125 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGPZ10BM40FHTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 460 V | 1.6 V | 10 V | 20 A | 107 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGS00TS65DHRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 88 A | 326 W |
