IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N60R2FG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.85 V | 20 V | 24 A | 54 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N60S1EG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.7 V | 20 V | 30 A | 47 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N120IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 40 A | 384 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1350 V | 2.2 V | 25 V | 40 A | 394 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 1.45 V | 20 V | 40 A | 64 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB25N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB25N120FL3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 100 A | 349 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2 V | 30 V | 60 A | 452 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N135IHR1WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1.35 kV | 2.6 V | 25 V | 60 A | 394 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1350 V | 2.3 V | 25 V | 60 A | 394 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N65IHL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 20 V | 60 A | 300 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB35N60FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 70 A | 300 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120FL2WAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 30 V | 160 A | 268 W | ||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2 V | 30 V | 80 A | 535 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120FL3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 160 A | 454 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.3 V | 25 V | 80 A | 384 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120L3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 1.55 V | 20 V | 160 A | 454 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120S3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.3 V | 20 V | 160 A | 454 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1350 V | 2.4 V | 25 V | 80 A | 394 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 650 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 366 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N65IHL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1200 V | 2.2 V | 30 V | 100 A | 535 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N60L2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N60SWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor |
