Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N60R2FG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.85 V 20 V 24 A 54 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N60S1EG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.7 V 20 V 30 A 47 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N120IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 2.1 V 20 V 40 A 384 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1350 V 2.2 V 25 V 40 A 394 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 1.45 V 20 V 40 A 64 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB25N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB25N120FL3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 1.7 V 20 V 100 A 349 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 2 V 30 V 60 A 452 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N135IHR1WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1.35 kV 2.6 V 25 V 60 A 394 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1350 V 2.3 V 25 V 60 A 394 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N65IHL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 650 V 1.6 V 20 V 60 A 300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB35N60FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 600 V 2.2 V 20 V 70 A 300 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120FL2WAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 30 V 160 A 268 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 2 V 30 V 80 A 535 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120FL3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 1.7 V 20 V 160 A 454 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 2.3 V 25 V 80 A 384 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120L3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 1.55 V 20 V 160 A 454 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120S3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 2.3 V 20 V 160 A 454 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N135IHRWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1350 V 2.4 V 25 V 80 A 394 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 650 V 2.1 V 20 V 80 A 366 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N65IHL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N120FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor 1200 V 2.2 V 30 V 100 A 535 W
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N60L2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N60SWG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB50N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ON Semiconductor
...3435363738...