IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGS00TS65HRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 88 A | 326 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGS60TS65DHRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 56 A | 223 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGS60TS65HRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 56 A | 223 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGS80TS65HRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 73 A | 272 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGS80TSX2DHRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 1200 V | 1.7 V | 30 V | 555 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 85 A | 277 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16BM65DTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 16 A | 94 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 16 A | 94 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 16 A | 94 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 16 A | 94 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 9 A | 22 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 30 A | 133 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 30 A | 133 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 30 A | 133 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 14 A | 32 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 40 A | 161 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 40 A | 161 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 40 A | 161 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 17 A | 39 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 40 A | 144 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 48 A | 194 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 48 A | 194 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 48 A | 194 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 30 A | 133 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 48 A | 174 W |
