Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGS00TS65HRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 88 A 326 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGS60TS65DHRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 56 A 223 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGS60TS65HRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 56 A 223 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGS80TS65HRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 73 A 272 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGS80TSX2DHRC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 1200 V 1.7 V 30 V 555 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 85 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16BM65DTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 16 A 94 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 16 A 94 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 16 A 94 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 16 A 94 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 9 A 22 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 30 A 133 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 30 A 133 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 30 A 133 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 14 A 32 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 40 A 161 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 40 A 161 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 40 A 161 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 17 A 39 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 40 A 144 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 48 A 194 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 48 A 194 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 48 A 194 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 30 A 133 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 48 A 174 W
...3637383940...