Пн-пт: 9:00 - 17:30

История: STGF6M65DF2 S16B-SMH-1L.M-2M32-PC

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Сравнить 0 товара

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Collector-Emitter Voltage	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum Gate Emitter Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Power Dispation
RGTV00TK65DGC11 RGTV00TK65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV00TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	45 A	94 W
RGTV00TK65GVC11 RGTV00TK65GVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV00TK65GVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	45 A	94 W
RGTV00TS65DGC11 RGTV00TS65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	95 A	276 W
RGTV00TS65GC11 RGTV00TS65GC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV00TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	95 A	276 W
RGTV60TK65DGVC11 RGTV60TK65DGVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV60TK65DGVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	33 A	76 W
RGTV60TK65GVC11 RGTV60TK65GVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV60TK65GVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	33 A	76 W
RGTV60TS65DGC11 RGTV60TS65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	60 A	194 W
RGTV60TS65GC11 RGTV60TS65GC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTV60TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	60 A	194 W
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTVX6TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	144 A	404 W
RGTVX6TS65GC11 RGTVX6TS65GC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGTVX6TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	144 A	404 W
RGW00TK65DGVC11 RGW00TK65DGVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW00TK65DGVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	45 A	89 W
RGW00TS65DGC11 RGW00TS65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	96 A	254 W
RGW00TS65GC11 RGW00TS65GC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW00TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	96 A	254 W
RGW60TK65DGVC11 RGW60TK65DGVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW60TK65DGVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	33 A	72 W
RGW60TK65GVC11 RGW60TK65GVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW60TK65GVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	33 A	72 W
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	60 A	178 W
RGW60TS65GC11 RGW60TS65GC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW60TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	60 A	178 W
RGW80TK65DGVC11 RGW80TK65DGVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW80TK65DGVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	39 A	81 W
RGW80TK65GVC11 RGW80TK65GVC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW80TK65GVC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	39 A	81 W
RGW80TS65DGC11 RGW80TS65DGC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW80TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	78 A	214 W
RGW80TS65GC11 RGW80TS65GC11	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RGW80TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	ROHM Semiconductor	650 V	1.5 V	30 V	78 A	214 W
RJH60F3DPQ-A0#T0 RJH60F3DPQ-A0#T0	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RJH60F3DPQ-A0#T0: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Renesas Electronics
RJH60F7DPQ-A0#T0 RJH60F7DPQ-A0#T0	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RJH60F7DPQ-A0#T0: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Renesas Electronics
RJH60T04DPQ-A1#T0 RJH60T04DPQ-A1#T0	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RJH60T04DPQ-A1#T0: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Renesas Electronics	600 V	1.5 V	30 V	60 A	208.3 W
RJH65T46DPQ-A0#T0 RJH65T46DPQ-A0#T0	в наличии	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-RJH65T46DPQ-A0#T0: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Renesas Electronics	650 V	1.8 V	30 V	80 A	340.9 W