Фильтры
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 55 A 194 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT80TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 70 A 234 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8BM65DTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 8 A 62 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 8 A 65 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 8A 65 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 8 A 65 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.65 V 30 V 5 A 16 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 35 A 72 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 85 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 85 A 277 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 23 A 56 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 23 A 56 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 40 A 144 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 26 A 59 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 26 A 59 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 50 A 174 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 50 A 174 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 28 A 61 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 28 A 61 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 58 A 194 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 58 A 194 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 31 A 66 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 31 A 66 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 70 A 234 W
в наличии
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
ROHM Semiconductor 650 V 1.6 V 30 V 70 A 234 W
...3738394041...