IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 55 A | 194 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT80TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 70 A | 234 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8BM65DTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 8 A | 62 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 8 A | 65 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 8A | 65 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 8 A | 65 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8TM65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.65 V | 30 V | 5 A | 16 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 35 A | 72 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 85 A | 277 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 85 A | 277 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 23 A | 56 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 23 A | 56 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 40 A | 144 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 26 A | 59 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 26 A | 59 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 50 A | 174 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH50TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 50 A | 174 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 28 A | 61 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 28 A | 61 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 58 A | 194 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH60TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 58 A | 194 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TK65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 31 A | 66 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 31 A | 66 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 70 A | 234 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH80TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ROHM Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 30 V | 70 A | 234 W |
