IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-RJH65T47DPQ-A0#T0: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Renesas Electronics | 650 V | 1.8 V | 30 V | 90 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGB02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGB07N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGD02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGF23N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.1 V | 20 V | 23 A | 75 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGF5N150UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 1500 V | 4.7 V | 20 V | 10 A | 62.5 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGH20N60RUFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 32 A | 195 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGH40N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.1 V | 20 V | 40 A | 160 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGL50N60RUFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 80 A | 250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGP02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGP07N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGP10N60RUFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.2 V | 20 V | 16 A | 75 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGP23N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
ON Semiconductor | 600 V | 2.1 V | 20 V | 23 A | 100 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SGW20N60: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SKB02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-SKW25N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.5 V | 20 V | 20 A | 115 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10NB37LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 440 V | 16 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10NB40LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1.8 V | 1.2 V | 12 V | 20 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10NC60HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB14NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.1 V | 20 V | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB15H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.6 V | 20 V | 30 A | 115 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB15M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 30 A | 136 W |
