История:
S6B-CC-1L.M-PG13.5
IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB18N40LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 360 V | 12 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB19NC60HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB19NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 166 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 425 V | 1.5 V | 16 V | 150 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20N45LZAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 450 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20NB41LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 20 V | 2 V | 12 V | 40 A | 200 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB25N40LZAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 400 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB30H60DLLFBAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.7 V | 20 V | 30 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB30M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB30V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.85 V | 20 V | 60 A | 258 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB3NC120HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.3 V | 20 V | 14 A | 75 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB40H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB40V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB5H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.5 V | 20 V | 10 A | 88 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB6M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 12 A | 88 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB6NC60HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.7 V | 20 V | 80 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB7H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB7NC60HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.5 V | 20 V | 10 A | 25 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGB8NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGD10HF60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.75 V | 20 V | 18 A | 62.5 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGD10NC60HT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGD10NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V |
