Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Manufacturer
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Power Dispation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum Gate Emitter Voltage Continuous Collector Current at 25 C Power Dispation
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA12IF1200HB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 20 A 85 W
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA12IF1200PB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 20 A 85 W
IXA17IF1200HJ IXA17IF1200HJ IXA17IF1200HJ
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA17IF1200HJ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 28 A 100 W
IXA20I1200PB IXA20I1200PB IXA20I1200PB
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA20I1200PB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 33 A 130 W
IXA20IF1200HB IXA20IF1200HB IXA20IF1200HB
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA20IF1200HB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 38 A 165 W
IXA27IF1200HJ IXA27IF1200HJ IXA27IF1200HJ
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA27IF1200HJ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 43 A 150 W
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA37IF1200HJ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 58 A 195 W
IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXA55I1200HJ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1200 V 1.8 V 20 V 84 A 290 W
IXBF20N300 IXBF20N300 IXBF20N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBF20N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.7 V 20 V 34 A 150 W
IXBF20N360 IXBF20N360 IXBF20N360
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBF20N360: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXBF32N300 IXBF32N300 IXBF32N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBF32N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.8 V 20 V 40 A 160 W
IXBF40N160 IXBF40N160 IXBF40N160
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBF40N160: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1.6 kV 6.2 V 20 V 28 A 250 W
IXBF55N300 IXBF55N300 IXBF55N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBF55N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.7 V 25 V 86 A 357 W
IXBH10N170 IXBH10N170 IXBH10N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 2.3 V 20 V
IXBH12N300 IXBH12N300 IXBH12N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH12N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.8 V 20 V 30 A 160 W
IXBH16N170A IXBH16N170A IXBH16N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V 150 W
IXBH20N300 IXBH20N300 IXBH20N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH20N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.7 V 20 V 50 A 250 W
IXBH24N170 IXBH24N170 IXBH24N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH24N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
IXBH40N160 IXBH40N160 IXBH40N160
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH40N160: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1600 V 20 V 350 W
IXBH42N170 IXBH42N170 IXBH42N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH42N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 20 V 360 W
IXBH42N170A IXBH42N170A IXBH42N170A
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH42N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1700 V 5.2 V 20 V
IXBH5N160G IXBH5N160G IXBH5N160G
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH5N160G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1.6 kV 4.9 V 20 V 5.7 A 68 W
IXBH9N160G IXBH9N160G IXBH9N160G
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH9N160G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 1600 V 4.9 V 20 V
IXBK55N300 IXBK55N300 IXBK55N300
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBK55N300: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS 3 kV 2.7 V 25 V 130 A 625 W
IXBK75N170 IXBK75N170 IXBK75N170
поиск предложений
Insulated-gate bipolar transistor-IXBK75N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее 		IXYS
...2526272829...