Пн-пт: 9:00 - 17:30

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Transistors

IGBT Transistors

Сравнить 0 товара

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Collector-Emitter Voltage	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum Gate Emitter Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Power Dispation
IRG4PH50SPBF IRG4PH50SPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH50SPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.75 V	20 V	57 A	200 W
IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH50UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	3.7 V	20 V	45 A	200 W
IRG4PH50UPBF IRG4PH50UPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH50UPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	3.7 V	20 V	45 A	200 W
IRG4PSC71KDPBF IRG4PSC71KDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSC71KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.83 V	20 V	85 A	350 W
IRG4PSC71UDPBF IRG4PSC71UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSC71UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2 V	20 V	85 A	350 W
IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSH71KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.97 V	20 V	78 A	350 W
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSH71UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.52 V	20 V	99 A	350 W
IRG6B330UDPBF IRG6B330UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG6B330UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	330 V	1.69 V	30 V	70 A	160 W
IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG7PH35UD-EP: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.2 V	50 A	180 W
IRG7PH35UDPBF IRG7PH35UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG7PH35UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.9 V	30 V	50 A	180 W
IRG7PH42UDPBF IRG7PH42UDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG7PH42UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2 V	30 V	85 A	320 W
IRG7PH46UD-EP IRG7PH46UD-EP	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRG7PH46UD-EP: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2 V	108 A	390 W
IRGB30B60KPBF IRGB30B60KPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGB30B60KPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.35 V	20 V	78 A	370 W
IRGB4056DPBF IRGB4056DPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGB4056DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.55 V	20 V	24 A	140 W
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGB4062DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.95 V	20 V	48 A	250 W
IRGB4620DPBF IRGB4620DPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGB4620DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.55 V	20 V	32 A	140 W
IRGB4630DPBF IRGB4630DPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGB4630DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.65 V	20 V	47 A	206 W
IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGB6B60KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.8 V	20 V	18 A	90 W
IRGIB10B60KD1P IRGIB10B60KD1P	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGIB10B60KD1P: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.1 V	20 V	16 A	44 W
IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGIB15B60KD1P: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.8 V	20 V	19 A	52 W
IRGP20B60PDPBF IRGP20B60PDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGP20B60PDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.35 V	20 V	40 A	220 W
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGP30B60KD-EP: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.35 V	20 V	60 A	304 W
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGP35B60PDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.85 V	20 V	60 A	308 W
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4062DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	1.95 V	20 V	48 A	250 W
IRGP4063DPBF IRGP4063DPBF	поиск предложений	Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4063DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором Подробнее	Infineon	600 V	2.14 V	20 V	96 A	330 W