История:
R3-14C-01
PASH-M12A-03P-MM-SL7002
IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGP7H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.95 V | 20 V | 14 A | 88 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGP7NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.5 V | 20 V | 80 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGP8M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 16 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGP8NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGPL6NC60D: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGPL6NC60DI: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.9 V | 20 V | 14 A | 56 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW10M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 20 A | 115 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW15H120F2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 30 A | 259 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW15M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 30 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW19NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2 V | 20 V | 40 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 168 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20IH125DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1.25 kV | 2.55 V | 20 V | 40 A | 259 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20NC60V: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.5 V | 20 V | 60 A | 200 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20NC60VD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.5 V | 20 V | 60 A | 200 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.3 V | 20 V | 40 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW20V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW25H120DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 50 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW25H120F2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 50 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW25M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 50 A | 326 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW28IH125DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1.25 kV | 2.65 V | 20 V | 60 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30H60DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30H60DLFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.75 V | 20 V | 30 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 258 W |
