История:
R3-28C-02-B
R3-14C-01
PASH-M12A-03P-MM-SL7002
IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC120HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.75 V | 25 V | 220 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC60VD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.5 V | 20 V | 250 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC60WD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.1 V | 20 V | 200 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 60 A | 258 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.85 V | 20 V | 60 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW35HF60W: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 2.5 V | 20 V | 60 A | 200 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW35HF60WDI: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW35NB60SD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW39NC60VD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.8 V/1.7 V | 20 V | 250 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H120DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H120F2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H60DLFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H65DFB-4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 20 V | 250 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40V60DLF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60H60DLFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60H65DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 2.1 V | 20 V | 120 A | 360 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60H65DFB-4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60H65DRF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 360 W |
